汕尾库存硅料回收*团队在线服务

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收购碎电池片的方式

电池片切开:将单晶硅棒切割成具备*几何图形规格的薄硅片。此全过程中造成的硅粉选用水淋，造成污水和硅渣。

电池片淬火:双工装夹具热氧化炉经N2吹扫后，用红外线加温至300~500℃，硅片表层和co2产生反映，使硅片表层产生sio2保护层厚度。

电池片倒角:将淬火的硅片开展整修成圆弧状，避免硅片边沿裂开及晶格常数缺点造成，提升磊晶层及光阻层的平整度。此全过程中造成的硅粉选用水淋，造成污水和硅渣。

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PECVD

PE 目的

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以简单写成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴*上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 PECVD 方法区别于其它 CVD 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的*能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低 CVD 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 CVD 过程得以在低温下实现。

基本特征

1. 薄膜沉积工艺的低温化（ lt; 450 ℃ ）。

2. 节省能源，库存硅料回收，降低成本。

3. 提高产能。

4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。

扩散方式

PE 设备有两类：平板式和管式。

按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ Roth ＆ Rau ）。

直接式：基片位于一个电*上，直接接触等离子体。

间接式：基片不接触激发电*。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 NH3 ，而 SiH4 直接进入反应腔。间接 PECVD 的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。

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7、迅速煅烧

历经油墨印刷后的硅片，不可以立即应用，须经烧结炉迅速煅烧，将有机化学环氧树脂黏合剂点燃掉，剩余基本上纯碎的、因为玻璃质*而密合在硅片上的银电级。当银电级和结晶硅在溫度超过共晶溫度时，结晶硅分子以必须的占比融进到熔化的银金属电*中来，进而产生上下左右电级的欧姆接触，提升电池片的开路电压和填充因子2个重要主要参数，使其具备电阻器特点，以提升电池片的变换*。烧结炉分成预煅烧、煅烧、减温水冷却3个环节。预煅烧环节目地是使料浆中的高分子材料黏合剂溶解、点燃掉，此环节溫度渐渐地升高；煅烧环节中煅烧身体进行各种各样物理学反映，产生电阻器膜结构工程，使其真实具备电阻器特点，该环节溫度超过谷值；减温水冷却环节，夹层玻璃水冷却硬底化并凝结，使电阻器膜结构工程固定不动地黏附于基片上。