MOSFET二管高温老化功率循环测试仪
第一枪帮您来“拼单”,更多低价等你来!MOSFET二管高温老化功率循环测试仪
- 名称西安易恩电气科技股份有限公司 【公司网站】
- 所在地中国 陕西 西安 雁塔区
- 联系人 李想
- 价格 ¥188元/件 点此议价
- 采购量 不限制
- 发布日期 2022-09-30 09:38 至 长期有效
MOSFET二管高温老化功率循环测试仪产品详情
- 品牌:易恩电气
- 测试对象:IGBT模块
- 输出电压:0-6000V
- 输出电流:0-6000A
- 生产产家:易恩电气
- 品牌:其他
- 类型:电参数测量仪
- 加工定制:是
- 型号:ENX650000
- 测量对象:IGBT
- 测量范围:电参数
- 测量精度:1nA
- 频率:50HZ
- 功率:380W
- 电源:220V
- 外形尺寸:800x800x1800
- 重量:175KG
1、设备简述
IGBT高温反偏试验是在一定温度条件(125℃)下,按照规定的时间和电压,对IGBT施加反偏电压,从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。
ENX2020C 测试系统是专为 IGBT 模块进行高温反偏试验而进行设计,是IGBT出厂检测的重要设备。该试验系统可对相应的 IGBT 器件进行适配器匹配。测试标准符合 MIL-STD-750,IEC60747。本设备采用计算机自动控制系统,后台软件实时监控、自动处理目标数据,具有测试精度高、操作方便、等优点。
该系统适用于中低压 IGBT 模块产品的高温反偏测试,测试电压为1200V。可以实现对 IGBT 器件集电-发射电压 Vce、集电-发射漏电流Ices、壳温 Tc、时间等各项参数的检测,根据程序设定自动完成测试,记录保存测试数据并且可以随时浏览导出,系统安全可靠,运行稳定。
2、试验台概要
2.1、电气系统额定参数
A.输入电压:380V AC;
B. 输出电压:0-1200V DC;
C. 输出电流:0-150mA;
D. 工作相抵湿度:空气湿度 < 50%;
E. 环境温度:0-40℃。
2.2、加热及散热系统
该设备测试夹具共4个工位,毎路均配置*的加热及冷却系统,控温范围为:70-150&plu*n;1.0℃,温度分辨率为0.1℃。散热器表面温度升到目标温度控制在40分钟内。
每个工位配有温度控制系统,配备温控表显示实时温度。如图温控表上面为实时温度,下面为设定温度。如需温控表的详细参数,请咨询技术人员索要说明书。
2.3、主系统及其配置
主要配置如下,实际配置需满足招标产品工艺与产能需求。
1.主机_1_套;
2.试验工位 4 个;
3.直流电源 1 台;
4.温度控制系统 4 套;
5.电参数(漏电流、电压)检测装置 4 套;
6.工控机电脑 1 套;
Windows7 操作系统,友好的用户操作界面,人机对话,窗口式操作界面,并且保证长时间工作无故障。
7.主机配备 3 色 LED 警示灯,烟雾,急停开关,安全联锁。