第三代半导体GaN测试仪

第三代半导体GaN测试仪认准普赛斯仪表，国产自主研发，厂家Z销！*，测试范围更广，输出电压高达300V，支持USB存储，一键导出报告，符合大环境下国内技术自给的需求，可及时与客户沟通，为客户提供高性价比系统解决方案，及时指导客户编程，加速测试系统开发，详情请联系普赛斯仪表销售专员为您解答一八一四零六六三四七六

源表特点：

同时J确提供和测量电压和/或电流；

      同步测量，减少测试时间

提供和测量非常广的电流和电压；

      电压可达300mV-300V,电流达100nA-1A

支持运行用户脚本程序，无需电脑控制，提高生产测试速度；

      序列测试，简化操作，降低成本

采用用户熟悉的图形界面，不管用户经验是否丰富，使用起来都非常简便；

      触屏操作

 
与传统电源比：

电源过零需要改变线连接方式；

    增加需反复开关机械开关，降低了设备可靠性

电压电流限制精度有限；

电压1%，电流10mA

与电源结合万用表组合比：

万用表电源组合需要编程实现设备控制及同步；

    复杂连线、编程开发

电源限压限流性能差

     限压限流精度低，瞬态特性也无法保证