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京迈研硒化铋靶材Bi2Se3磁控溅射材料电子束镀膜蒸发料

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京迈研硒化铋靶材Bi2Se3磁控溅射材料电子束镀膜蒸发料

京迈研硒化铋靶材Bi2Se3磁控溅射材料电子束镀膜蒸发料
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京迈研硒化铋靶材Bi2Se3磁控溅射材料电子束镀膜蒸发料 产品详情

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  • 纯度:99.99
  • 产地:北京
  • 用途:化工和科研实验
  • 品牌/厂家:其他
  • 材质类型:陶瓷靶材
  • 牌号:京迈研
  • 材料名称:硒化铋靶材
  • 规格:根据要求定制

3403  硒化铋靶材  Bi2Se3磁控溅射材料 电子束镀膜蒸发料 

【参数说明】

支持靶材定制,请提供靶材产品的元素、比例(重量比或原子比)、规格,我们会尽快为您报价!! 

【产品介绍】

硒化铋斜方六面体晶结构。密度6.82g/cm3。熔点710℃。不溶于碱,易为浓酸所分解。由硒和直接反应或氧化铋和作用制取,为半导体材料和温差电材料

中文名

硒化铋

熔点

710°C

化学式

Bi2Se3 

密度

6.82 g/cm3

 

【关于我们】

服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款售后无忧!

产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真装

适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 

质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。 

加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库

陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差,连续长时间溅射易发生靶裂情况,绑定背靶后,可提高化合物靶材的导热性能,提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您,选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶!

我公司采用高纯铟作为焊料,铟焊厚度约为0.2mm,高纯无氧铜作为背靶。

 :高纯铟的熔点约为156℃,靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化!绑定背靶不影响靶材的正常使用!

建议:陶瓷脆性靶材、烧结靶材,高功率下溅射易碎,建议溅射功率不超过3W/cm2。

我公司主营金属靶材、陶瓷靶材、合金靶材,欢迎您的垂询。

以上内容为京迈研硒化铋靶材Bi2Se3磁控溅射材料电子束镀膜蒸发料 ,本产品由北京京迈研材料科技有限公司直销供应。
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