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在基片上形成薄膜有多种方法。制造薄膜网路常用物理汽相淀积(PVD)法，有时还用阳*氧化或电镀法。在物理汽相淀积法中，的是蒸发工艺和溅射工艺。这两种工艺都是在真空室中进行的，所以统称为真空成膜法。用这两种方法，可以制造无源网路中的无源元件、互连线、绝缘膜和保护膜。阳*氧化法可以形成介质膜，并能调整电阻膜的阻值。在制造分布参数微波混合集成电路时，用电镀法增加薄膜微带线的厚度，以减少功耗。

　　薄膜材料　在薄膜电路中主要有四种薄膜：导电、电阻、介质和绝缘薄膜。导电薄膜用作互连线、焊接区和电容器*板。电阻薄膜形成各种微型电阻。介质薄膜是各种微型电容器的介质层。绝缘薄膜用作交叉导体的绝缘和薄膜电路的保护层。各种薄膜的作用不同，所以对它们的要求和使用的材料也不相同。

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微型电容器的*板对导电薄膜的要求略有不同，常用铝或钽作电容器的下*板，铝或金作上*板。

　　对电阻薄膜的主要要求是膜电阻范围宽、温度系数小和稳定性能好。的是铬硅系和钽基系。在铬硅系中有镍-铬(Ni-Cr)、铬-钴(Cr-Co)、镍-铬-硅(Ni-Cr-Si)、铬-硅(Cr-Si)、铬-氧化硅(Cr-SiO)、镍铬-二氧化硅（NiCr－SiO2）。属于钽基系的有钽(Ta)、氮化钽(Ta2N)、钽-铝-氮(Ta－Al－N)、钽-硅(Ta-Si)、钽-氧-氮(Ta-O-N)、钽-硅-氧(Ta-Si-O)等。

　　对介质薄膜要求介电常数大、介电强度高、损耗角正切值小，用得的仍是硅系和钽系。即氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氧化钽(Ta2O5)和它们的双层复合结构：Ta2O5-SiO和Ta2O5-SiO2。有时还用氧化钇(Y2O3)，氧化铪(HfO2)和钛酸钡(BaTiO3)等。

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　　为了减小薄膜网路中的寄生效应，绝缘薄膜的介电常数应该很小，因而采用氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氮化硼(BN)、氮化铝(AlN)、氮化硅 (Si3N4)等，适合于微波电路。

在同一个基片上用蒸发、溅射、电镀等薄膜工艺制成无源网路，并组装上分立的微型元件、器件，外加封装而成的混合集成电路。所装的分立微型元件、器件，可以是微型元件、半导体芯片或单片集成电路。

　　按无源网路中元件参数的集中和分布情况，薄膜集成电路分为集中参数和分布参数两种。前者适用范围从低频到微波波段，后者只适用于微波波段。

　　特点与应用　与厚膜混合集成电路相比较，薄膜电路的特点是所制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好，可以工作到毫米波段。并且集成度较高、尺寸较小。但是所用工艺设备比较昂贵、生产成本较高。

　　薄膜混合集成电路适用于各种电路，特别是要求精度高、稳定性能好的模拟电路。与其他集成电路相比，它更适合于微波电路。

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　　主要工艺　薄膜混合集成电路所用基片有多种，常用的是玻璃基片，其次是微晶玻璃和被釉陶瓷基片，有时也用蓝宝石和单晶硅基片。为了实现紧密组装和自动化生产，一般使用标准基片。